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他们以混合的NaCl和金属Cr粉末作为金属前驱体，个官敢纳通过化学气相沉积(CVD)方法成功合成了厚度可调（1.9nm至数十纳米）的菱方Cr2S3纳米片。然而，朝代现有的二维磁性半导体材料大多是采用机械剥离法来制备，朝代获得材料的厚度和畴区尺寸均不易控制，这也严重地限制了二维磁性半导体材料的基础性能研究和实际应用探索。

道古ii）具有原子级平整和惰性表面的云母基底有利于范德华外延生长超薄Cr2S3纳米片。【研究背景】二维材料因其优异的电学、个官敢纳光学、个官敢纳力学和磁学性能，以及其在电子、光电子和自旋电子器件等领域的广阔应用前景，近年来引起了人们的广泛关注。文献链接：朝代ControlledGrowthandThickness-DependentConductionTypeTransitionof2DFerrimagneticCr2S3Semiconductors(Adv.Mater.2019,1905896;DOI:10.1002/adma.201905896)【课题组介绍】张艳锋，朝代北京大学工学院研究员，主要从事石墨烯等二维层状材料的可控制备、精密表征和应用探索，在二维量子薄膜、二维层状材料（石墨烯、氮化硼、单层过渡族金属硫属化合物）及其异质结构的可控制备/构筑、精密表征和新奇物理化学特性等方面取得了系列创新性成果。

该研究得到了国家重大研发计划、道古国家自然科学基金、北京市自然科学基金项目的大力支持。【图文导读】图一、个官敢纳超薄Cr2S3纳米片的制备过程及表征图二、个官敢纳Cr2S3纳米片的原子结构分析图三、Cr2S3纳米片的层厚控制生长图四、Cr2S3-FETs的厚度依赖电学性质图五、Cr2S3纳米片的面内磁性该研究近日以题为ControlledGrowthandThickness-DependentConductionTypeTransitionof2DFerrimagneticCr2S3Semiconductors发表在知名期刊AdvancedMaterial杂志上，文章的第一作者是北京大学博士生崔芳芳、新加坡国立大学博士后赵晓旭，通讯作者是北京大学张艳锋研究员。

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迄今在Science、道古AdvancedMaterials,NatureCommunications等期刊发表论文160余篇。图四、个官敢纳电化学ORR测试（a）在不同温度下，获得的各种样品的LSV曲线。

现任中南大学冶金与环境学院教授、朝代副院长，朝代兼任中国有色金属学会熔盐化学与技术专业委员会副主任委员、轻金属冶金学术委员会委员、以及中国金属学会熔盐化学与技术分会委员。因此，道古亟需开发出具有高效ORR性能的新型非贵金属催化剂。

个官敢纳但是其不理想的结构几何形状和相对较低的掺杂水平使其ORR活性仍然较差。当将该纳米复合材料用作液态铝-空气电池的负极材料时，朝代该电池的功率密度可以达到157.3mWcm-2，而相同情况下基于Pt/C材料的电池为151.5mWcm-2。